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                新品发布 | Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

                日期:2021-05-27 作者:安世↓半导体 返回列表

                近日,基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安※世半导体)宣布推出新型 0.55 m? RDS(on) 40 V 功率 MOSFET,该器件采用高可靠性的 LFPAK88 封装,适用Ψ 于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些▃器件是Nexperia(安世半导↘体)所生产的 RDS(on)  值最低的 40 V 器件,更重要的是,它们提供的功率密度相比传统 D2PAK 器件提高了 50 倍以上。此外,这些新型器件还可在雪ζ 崩和线性模式下提供更高的性能△,从而提高了耐用性和可靠性。


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                Nexperia 产品市场◇经理 Neil Massey 评论道:


                新型 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 将最新的︽高性能超结硅技术与成熟的 LFPAK 铜夹片技术〖相结合,后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。低 RDS(on) 能够让我们将更多芯片封入在封装中,从而提高功率密度,缩小器件管脚尺▅寸。


                这些新型功率 MOSFET 的尺寸仅为 8 x 8 x 1.7 mm,具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性,可在大电流条件下安全可靠地开关工作。在 1 ms、20 VDS 的工作条件下,由于芯片和封装的组合,SOA 为 35 A,而在 10 ms、20 VDS 的工作条件下,此时↙封装将起主导作用,SOA 为 17 A。这些【数据优于竞品 1.5 倍至 2 倍。这些¤器件还提供最佳单脉冲雪崩额定值(EAS)2.3 J 以及超强 ID 电流额定值 500 A,与其他竞品不同的是,该值是测量得出的■极限,而非理论上的极限。 


                凭借 Nexperia(安世半ω导体)的 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 在尺寸和性能方面的优势,设计人员能□ 够用一个新型 LFPAK88 替换两个并行老式器件,从而简化制造和提高可靠性。符合 AEC-Q101 标准的 BUK7S0R5-40H 器件提供超出车规标准要求两倍的可靠性,适合制动、助力转向、电池防反保护↑、e-fuse、DC-DC 转换器和电机控制应用】。工业 PSMNR55-40SSH MOSFET 适合电动工具、电器、风扇、电动自行『车、滑板车和∑ 轮椅中的电池隔离、电流限制、e-fuse、电机控制、同步整流和负载█开关应用。

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